2024年8月29日（GLOBENEWSWIRE）--GaN（氮化镓）技术的领先创新者FinwaveSemiconductor，Inc.今天宣布与GlobalFoundries（GF）达成战略技术开发和许可协议。此次合作将Finwave的尖端硅基氮化镓技术与GF在美国的大批量制造能力以及悠久的射频创新传统相结合，包括行业领先的射频绝缘体上硅和硅锗解决方案。此次合作将侧重于优化和扩展Finwave的创新增强模式（E-mode）MISHEMT技术，且在GF位于佛蒙特州伯灵顿的200毫米半导体制造工厂进行批量生产。
Finwave先进的200毫米硅基氮化镓E模式MISHEMT平台提供卓越的射频性能，在低于5V的电压下提供出色的增益和效率，同时确保200毫米晶圆的高均匀性，利用Finwave的技术，格芯的综合90RFGaN平台将提供高功率密度和高效率，实现高性能、优化的设备，从而节省占地面积和成本。此项合作为传统GaAs和Si技术不足的应用中的高效功率放大器提供了引人注目的解决方案，包括新的高频5GFR2/FR3频段、6G和毫米波放大器以及高功率Wi-Fi7系统，在这些应用中，卓越的范围和效率至关重要。
Finwave先进的200毫米硅基氮化镓E模式MISHEMT平台提供卓越的射频性能，在低于5V的电压下提供出色的增益和效率，同时确保200毫米晶圆的高均匀性，利用Finwave的技术，格芯的综合90RFGaN平台将提供高功率密度和高效率，实现高性能、优化的设备，从而节省占地面积和成本。这种合作伙伴关系为传统GaAs和Si技术不足的应用中的高效功率放大器提供了引人注目的解决方案，包括新的高频5GFR2/FR3频段、6G和毫米波放大器以及高功率Wi-Fi7系统，在这些应用中，卓越的范围和效率至关重要。
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