硅mosfet价格行情

12月22日，意法半导体官微宣布，该公司与理想汽车签署了一项碳化硅（SiC）长期供货协议按照协议，意法半导体将为理想汽车提供碳化硅MOSFET，支持理想汽车进军高压纯电动车市场的战略部署据介绍，理想汽车即将推出的800V高压纯电平台将在电驱逆变器中采用意法半导体的第三代1200V SiC MOSFET技术

上市公司三安光电旗下湖南三安半导体有限责任公司碳化硅应用专家施洪亮博士表示，目前公司第二代碳化硅MOSFET（金属氧化物场效应管）处于车企验证阶段，三代产品预计2025年推出。

随着硅接近其物理极限，半导体行业正在探索宽带隙 (WBG) 材料，尤其是碳化硅 (SiC)、氮化镓 (GaN) 以及更进一步的金刚石 特斯拉于 2018 年启动 SiC 功率器件市场，成为第一家在其 Model 3 中使用 SiC MOSFET 的汽车制造商 多年来，特斯拉一直是 SiC 市场增长的主要贡献者但在特斯拉宣布其下一代动力总成将使用永磁电机后，该行业陷入了恐慌，这将减少 75% 的 SiC 使用。

目前全球功率半导体缺货涨价现象仍未改善，中国功率半导体企业有望把握机遇，加速推进国产替代，市场份额快速提升 本次会议议题包括：在新能源汽车大规模量产之际，如何实现功率半导体的自主可控，如何进行提前布局等；未来碳化硅功率半导体有望逐步替代部分IGBT、MOSFET等硅基功率半导体，在新能源汽车领域得到应用，碳化硅功率器件国产化路径；车规级IGBT是赋能汽车的半导体赛道等，国产IGBT的规模化应用及可靠性等。

Strategy Analytics预测，功率半导体在汽车半导体中的占比，将从传统燃油车的 21%提升至纯电动车的 55%，跃升为占比最大的半导体器件目前功率半导体市场主要被海外大厂占据，中国企业起步较晚，高端产品自给率仍然较低，国产替代空间较大目前全球功率半导体缺货涨价现象仍未改善，中国功率半导体企业有望把握机遇，加速推进国产替代，市场份额快速提升 本次会议议题包括：在新能源汽车大规模量产之际，如何实现功率半导体的自主可控，如何进行提前布局等；未来碳化硅功率半导体有望逐步替代部分IGBT、MOSFET等硅基功率半导体，在新能源汽车领域得到应用，SiC功率器件国产化路径；车规级IGBT是赋能汽车的半导体赛道等，国产IGBT的规模化应用及可靠性等。

自2018年起，特斯拉、比亚迪、蔚来等车企纷纷开始用碳化硅功率器件部分替代IGBT 鲸平台智库专家、大菲资本董事总经理张力向《科创板日报》记者表示，“碳化硅的主要逻辑是作为碳化硅MOSFET替代IGBT，过去因为硅材料的性质，在高铁、电网、风电等超高压领域，以及新能源汽车逆变器这些中高压领域，只能用IGBT但现在碳化硅MOSFET不仅能用、而且好用” “等碳化硅在汽车领域进行快速迭代后，还有光伏、风电等更大的市场。

据相关分析数据显示，从燃油车到纯电动汽车，单车半导体价值量将从457美元提升至834美元，单车价值量增长最大的排序依次为：功率半导体>传感器>MCU（主控）其中功率半导体的单车价值量，从燃油车到新能源汽车有望实现数倍增长，达到约450美元 从功率器件种类来看，目前新能源汽车功率半导体以硅基的IGBT、MOSFET为主，但由于以SiC、GaN等为代表的第三代半导体材料在高压的系统中有更好的性能体现，相比硅基器件具有耐高压、耐高温、功耗低、体积小、重量轻等显著优势，被普遍认为将逐步替代部分IGBT、MOSFET等硅基功率半导体,在新能源汽车领域得到广泛应用。

近几年，白色家电用的IGBT、MOSFET和可控硅产品，华微电子在国内功率半导体行业内率先实现了进口品牌的替代，成为海尔、海信、美的等品牌产品的优质供应商 随着国内疫情缓解以及政策刺激，新能源车销量连续走高，去年12月单月销量超过20万辆2020年新能源乘用车累计销量111.5万辆，同比增长5.16%2021年新能源汽车累计销量预计将达到200万辆，同比增长46.3%而在国家政策的支持下，2025年国内新能源汽车销量有望达到600万辆。

公告显示，三安光电第三代半导体产业园项目用地面积约1000亩，将包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链，研发、生产及销售6吋SIC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SIC二极管外延、SiC MOSFET外延、SIC二极管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET三安光电表示，该项目有广阔的市场需求，现处于发展阶段，投资该项目有利于提升公司行业地位及核心竞争力。

中证网讯 三安光电6月16日晚公告，公司拟在长沙高新技术产业开发区管理委员会园区成立子公司，投资建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目，投资总额160亿元公司表示将在两年内完成一期项目建设并实现投产，四年内完成二期项目建设并实现投产，六年内实现达产 公告显示，三安光电第三代半导体产业园项目用地面积约1000亩，将包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链，研发、生产及销售6吋SIC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SIC二极管外延、SiC MOSFET外延、SIC二极管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET。

如近年来家电行业出现用碳化硅功率器件替代传统的IGBT方案，旨在通过提升电源效率来减小家电体积未来，随着碳化硅材料成本的不断下降，碳化硅二极管，以及碳化硅MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），将全面替代目前广泛运用的IGBT方案 美的集团并不是第一家布局芯片的家电企业2018年5月，康佳集团举行38周年庆同时宣布战略升级，宣布新成立半导体科技事业部，正式进入半导体产业。

企业名片 美国万国半导体（简称“AOS公司”）成立于2000年，总部位于美国硅谷，是一家集半导体设计、晶圆制造、封装测试为一体的企业，主要从事功率半导体器件（含功率MOSFET、IGBT和功率集成电路产品）的产品设计和生产制造目前AOS公司在美国俄勒冈有一座8英寸晶圆厂、在上海松江有二座封装工厂，在美国硅谷、台湾、上海均设有研发中心。

半导体材料增长主要是抛光片和区熔硅实现的,其中区熔硅受益于节能减排放,持续处于供不应求状态 半导体器件增长缓慢MOSFET生产线的扩产计划延后,而IGBT业务近期刚实现了消费电子领域的量产,所以短期内业务增长慢,不过2012年值得注意 维持增持评级我们预计公司2011-2013年销售为42亿、75亿和108亿,考虑增发摊薄后的EPS分别为0.54,1.10,1.54元,目前11-13年PE为40X,21X,14.3X,维持增持评级,建议战略性长期配置。

NEC电子06年开发出了基于铜布线的熔丝技术，现已导入量产此次将熔丝替换为通孔，是因为设想以32nm以后工艺导入的带有金属盖的铜布线，难以作为熔丝使用金属盖是防止产生电子迁移的保护膜，有了这层保护膜，即使向铜布线输入大电流，也不易产生电气切断 现行的熔丝技术，大多使用MOSFET栅电极的超薄硅化物（Silicide）薄膜，不过在整个栅电极中使用金属的32nm以后工艺，难以电气切断栅电极。