中证网讯 三安光电6月16日晚公告，公司拟在长沙高新技术产业开发区管理委员会园区成立子公司，投资建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目，投资总额160亿元。公司表示将在两年内完成一期项目建设并实现投产，四年内完成二期项目建设并实现投产，六年内实现达产。

公告显示，三安光电第三代半导体产业园项目用地面积约1000亩，将包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链，研发、生产及销售6吋SIC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SIC二极管外延、SiC MOSFET外延、SIC二极管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET。三安光电表示，该项目有广阔的市场需求，现处于发展阶段，投资该项目有利于提升公司行业地位及核心竞争力。