4月28日消息，三星电子周四宣布，将在本季度(即未来几周内)开始使用3GAE(早期3nm级栅极全能)工艺进行大规模生产。这不仅标志着业界首创3nm级制造技术，也是首个使用环栅场效应晶体管(GAAFETs)的节点。

“这是世界上首次大规模生产的GAA3纳米工艺，将以此提高技术领先地位，”三星在一份报告中写道。三星Foundry的3GAE工艺技术是首次使用GAA晶体管(三星将其称为“多桥沟道场效应晶体管(MBCFET)”)工艺。

三星大约在三年前正式推出了其3GAE和3GAP工艺节点。当该公司描述使用其3GAE技术生产的256MbGAAFETSRAM芯片时，它拿出了许多数据。

三星表示，该工艺将实现30%的性能提升、50%的功耗降低以及高达80%的晶体管密度（包括逻辑和SRAM晶体管的混合）。不过，三星的性能和功耗的实际组合将如何发挥作用还有待观察。

理论上，与目前使用的Finfet相比，Gaafet有许多优势，例如可大大降低晶体管漏电流(即，降低功耗)以及挖掘晶体管性能的潜在实力，这意味着更高的产率、和改进的产能。

此外，根据应用材料公司最近的报告，GAAFETs还可以减少20%至30%的面积。当然，三星的3GAE只是一种“早期”的3nm级制造技术，3GAE将主要由三星LSI（三星的芯片开发部门）以及可能一两个SF的其他alpha客户使用。如果这些产品的产量和性能符合预期，那么不久之后我们就可以看到新品大量出货了。